国家知识产权局信息显示，上海新傲科技股份有限公司申请一项名为“自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构”的专利，公开号CN121442971A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构。所述自扩散生长掺杂膜层的方法包括如下步骤：放置初始衬底至反应腔室内，所述初始衬底包括相对分布的正面和背面；传输掺杂源气体至所述反应腔室内，并调整所述反应腔室内的温度和压力，使得所述掺杂源气体分解产生的掺杂元素自所述初始衬底的正面扩散至所述初始衬底内，形成厚度小于100纳米的掺杂膜层，所述掺杂膜层下方剩余的所述初始衬底作为衬底。本发明能够通过所述掺杂元素的自扩散形成纳米级厚度的掺杂膜层，打破了CVD工艺无法形成纳米级掺杂膜层的限制。

　　天眼查资料显示，上海新傲科技股份有限公司，成立于2001年，位于上海市，是一家以从事化学纤维制造业为主的企业。企业注册资本31500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新傲科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目92次，财产线条，此外企业还拥有行政许可158个。

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